| 姓 名 | 傅竹西 | 性 别 | 男 | 出生年月 | 1944-03 |
|---|---|---|---|---|---|
| 所在院校 | 中国科学技术大学 | 所在院系 | 物理系 | ||
| 职称 | 教授 | 招生专业 | |||
| 研究领域 | 方向：宽禁带半导体材料及其光电特性。 内容：目前主要集中于ZnO 光电信息功能薄膜材料，研究它们的紫外自发辐射和受激辐射性能、光电转换和光电耦合特性等。 目标是制备出ZnO 结型紫外光电探测器、紫外发光和激光二极管等器件。 |
| 联系方式 | fuzx@ustc.edu.cn | 电 话 | 0551******* | 邮 编 | 230026 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 地 址 | 安徽合肥中国科技的大学物理楼406室 |
| 个人简介 |
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傅竹西, 男, 教授（博士生导师）. 1944年3月出生. 1967年毕业于北京大学物理系。 1976 年初到中国科大 物理系任教至今。教学方面主讲过研究生课："光电子学"和"半导体 光电子材料”等；基础课："光学"，"原子物理学"等。 曾编写出版了"固体光电子学"一书。（99年1月, 中国科技 大学出版社）。 科研工作经历： 1976-1985年, 从事发光二极管 和电致发光材料和器件的研究工作。1985年至今, 从事 半导体光电子薄膜材料的制备和特性研究工作。近年来在ZnO光电信息功能薄膜研究方面有较大贡献. 先后获国家基金委、科技部、中国科学院和安徽省科委 的多线资助。曾两次去日本东京大学进修。获学校科研 成果一等奖一项；国家教委全国高校物理教学仪器三等 奖一项；国家专利一项。在国内外核心刊物发表文章40 余篇。 傅竹西, 男, 教授（博士生导师）. 1944年3月出生. 1967年毕业于北京大学物理系。 1976 年初到中国科大 物理系任教至今。教学方面主讲过研究生课："光电子学"和"半导体 光电子材料”等；基础课："光学"，"原子物理学"等。 曾编写出版了"固体光电子学"一书。（99年1月, 中国科技 大学出版社）。 科研工作经历： 1976-1985年, 从事发光二极管 和电致发光材料和器件的研究工作。1985年至今, 从事 半导体光电子薄膜材料的制备和特性研究工作。近年来在ZnO光电信息功能薄膜研究方面有较大贡献. 先后获国家基金委、科技部、中国科学院和安徽省科委 的多线资助。曾两次去日本东京大学进修。获学校科研 成果一等奖一项；国家教委全国高校物理教学仪器三等 奖一项；国家专利一项。在国内外核心刊物发表文章40 余篇。 |
| 著作及论文 |
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著作 ： Fu Zhuxi, "the Photoelectronics of Solid" , Hefei, USTC publishing company, Jan, 1999 . 文章： 2003年及以前文章 [1] Bixia lin, Zhuxi Fu , Yunbo Jia: “Green luminescent center in undoped zinc oxide films deposited on silicon substrates” Appl. Phys. Lett. 2001, 79 (7) :943-945 [2] Zhuxi Fu, Bixia Lin and Guihong Liao “The Effect of Zn Buffer layer on Growth and Luminescent Properties of ZnO Films Deposited on Si Substrates”, J. Crystal Growth, 1998, 193: 316 [3] Fu Zhuxi, Guo Changxin, Lin Bixia and Liao Guihong ： “Cathodoluminescence of ZnO films” Chinese Physics Letter . 1998, 15 (6): 457 [4] Fu Zhuxi, Lin Bixia, Liao Guihong : “The Photoelectric Effect of ZnO/SiHeterostructure” Chinese Physics Letters 1999, 16 (10): 753 [5] GUO Chang-Xin, FU Zhu-Xi, SHI Chao-Shu .: “Ultraviolet Super-Radiation Luminescence of Sputtering ZnO Film Under Cathode-Ray Excitation at room Temperature” Chinese Physics Letters . 1999, 16 (2): 146 [6] Shi Chaoshu, Fu Zhuxi et al.: “UV Luminescence and Spectral Properties of ZnO Films Deposited on Si Substrates” ， Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena , 1999 ， Vol. 101/103: 629 [7] Lin Bixia, Fu Zhuxi, Jia Yunbo, Liao Guihong: “The Defect Photoluminescence of Undoping ZnO Films and Its Dependence on Annealing Conditions” ， J. Electrochemical Society, 2001, 148 (3): G110 [8] Zhang Guo-Bin, Shi Chao-Shu , Han Zheng-Pu, Shi Jun-Yan, Fu Zhu-Xi, M.Kiem, G.Zimmerer: "Photoluminescent Properties of ZnO Films Deposited on Si Substrates" Chinese Physics Letters , 2001, Vol. 18 (3): 4... 著作 ： Fu Zhuxi, "the Photoelectronics of Solid" , Hefei, USTC publishing company, Jan, 1999 . 文章： 2003年及以前文章 [1] Bixia lin, Zhuxi Fu , Yunbo Jia: “Green luminescent center in undoped zinc oxide films deposited on silicon substrates” Appl. Phys. Lett. 2001, 79 (7) :943-945 [2] Zhuxi Fu, Bixia Lin and Guihong Liao “The Effect of Zn Buffer layer on Growth and Luminescent Properties of ZnO Films Deposited on Si Substrates”, J. 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| 承担项目 |
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2002年以来取得的资助项目： 1，科技部973快速反应基金，"氧化锌宽禁带半导体薄膜的光电功能研究"， 30万元 2，国家自然科学基金委数理学部，"氧化锌薄膜p-n结及其光电子特性研究"， 6万元 3．国家自然科学基金委材料与工程学部，"氧化锌宽禁带光电功能材料"，7万元 4，国家基金委重大研究计划重点课题："能带可调的氧化锌基异质结构生长及光电器件应用研究"，75万元 ...2002年以来取得的资助项目： 1，科技部973快速反应基金，"氧化锌宽禁带半导体薄膜的光电功能研究"， 30万元 2，国家自然科学基金委数理学部，"氧化锌薄膜p-n结及其光电子特性研究"， 6万元 3．国家自然科学基金委材料与工程学部，"氧化锌宽禁带光电功能材料"，7万元 4，国家基金委重大研究计划重点课题："能带可调的氧化锌基异质结构生长及光电器件应用研究"，75万元 5，中国科学院知识创新方向性课题"第三代半导体材料SiC、ZnO及其器件研究"子课题："氧化锌薄膜光电信息功 能及其应用研究"， 85万元 6，校高水平大学建设重点科研项目："氧化锌基宽禁带光电功能薄膜材料"， 15万元 7，国家自然科学基金，"紫外光发射硅衬底氧化锌薄膜的制备及其特性研究"， 12万元 8，安徽省自然科学基金，"氧化锌异质结光电池的结构、性能及其应用研究"，4.5万元 9，国家科委提供项目经费，"氧化锌薄膜的紫外发光和激光研究"，10万元， 10，中科院院长基金，"ZnO光电子薄膜的制备和特性研究"，5万元 11，国家自然科学基金面上项目，"Si基片SiC过渡层的ZnO异质外延及其光电特性，28万元" 12，国家自然科学基金面上项目"ZnO薄膜的发光中心及其激发机理研究"，25万元 13. 国家自然科学基金委重点基金，氧化锌异质结构电致发光及缺陷和杂质的行为研究 ” ， 100 万 |